竊取GE商業機密 華男認罪 最高恐面臨10年監禁

一名華裔男子此前涉嫌盜取通用電氣公司(GE)機密技術文件而被捕控以竊取商業機密罪，28日他在紐約北區聯邦法院承認罪行，將於9月22日接受量刑，最高恐面臨10年監禁以及最高25萬元罰款。

根據認罪協議，42歲的隋楊(Yang Sui，姓名皆音譯)報住紐約上州Niskayuna，是通用電氣前員工，他承認2015年至2017年間從通用竊取多個電子文件，這些文件內包括碳化硅材質的金屬氧化物半導體場效電晶體 (metal-oxide semiconductor field-effect transistors，簡稱MOSFETs)研究、設計和製造的相關信息，碳化硅MOSFETs廣泛使用於通用電氣公司的產品中，如航空設備和風力渦輪機等。

根據領英網(LinkedIn)上隋楊的個人頁面信息，他在哈爾濱讀完高中後考上清華大學，攻讀材料科學，之後在愛阿華州立大學和普渡大學分別獲取碩士和博士學位，博士期間他曾擔任多個校內組織和俱樂部的主席，並從事研究助理工作；2010年10月至2018年1月，他在位於Niskayuna的通用集團全球研發中心擔任半導體裝置工程師，並發表過至少18篇學術文章。

隋楊被控竊取商業機密罪，28日認罪，將於9月22日接受量刑，最高面臨10年監禁和3年獄後監管，以及最高25萬元罰款或繳納其通過罪行所得金額2倍的罰款。

隋楊並非首位因涉嫌竊取機密被捕的通用公司華裔員工，此前還有一名通用電氣工程師鄭曉青(Xiaoqing Zheng)也涉嫌竊取機密技術文件，於2018年被捕，2019年4月被控以經濟間諜、共謀竊取商業機密等14項罪名，將面臨最高30年監禁。

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記者金春香／紐約報導